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單晶爐改造方案

一、方案

方案：我們目前采用的方案是：更改爐底與排氣結構，增加延長副室段（增加單根晶棒的隔離長度，對應的籽晶繩也要加長），增加底部加熱電源，增加底部加熱器（含銅電極及水冷電纜等配  套件），增加水冷熱屏裝置,設計26寸降氧熱場。主要有以下幾點優(yōu)點：

A、將側排氣改成底排氣后改善了連續(xù)幾根拉晶工藝過程中排氣管容易堵塞現(xiàn)象，將一爐幾根工藝變得簡單易行；

B、增加底部加熱電源及底部加熱器，利用降氧熱場可以改善晶體頭部氧施主問題，頭部氧含量低于16ppma；

C、熱場結構與水冷屏有機統(tǒng)一，熱場梯度，利于成晶，提升晶體生長速度，降低等徑時間，單產；

D、采用新熱場，由于有底部加熱裝置的存在，可以將坩堝位置降低很多，從而避免對投料的影響，且在第二根第三根等復投料過程中，可以降低坩堝高度，避免二次加料產生濺硅現(xiàn)象的發(fā) 生。

以上方案詳細闡述了各自的特點，從一爐一根到一爐多根的除了更改及增加硬件外，對應的生產工藝也要隨之變動。只有二者相結合才能達到產品質量、產能及降低生產成本的目的。

95型單晶爐改造后有以下幾點優(yōu)勢：

1、等晶拉速大于1.4mm/min（平均拉速）；

2、質量改善：單晶頭部氧含量低于16ppma，可消除同心圓、黑芯片等影響轉換效率現(xiàn)象；

3、綜合以上兩點的成本優(yōu)勢，方棒非硅成本可以在60元/kg(折算重量)左右；

4、實際拉晶過程如下（排除引放不成功及斷棱問題）：

二、改造前后數(shù)據(jù)對比：（說明：新式95爐均按改造后的標準制造）